Alternance d'ingénieur dans la microélectronique H/F (Composants et équipements électroniques)

Description de l'offre

Domaine : Composants et équipements électroniques

Contrat : Alternance

Description du poste :

Cadre et contexte :
Les transistors à base de nitrure de gallium ou GaN révolutionnent la conversion de puissance en permettant des solutions à haute densité de puissance et à haute efficacité. Les caractéristiques de GaN permettent un fonctionnement de transistor à fréquence de commutation beaucoup plus élevée tout en réduisant les pertes de grille et de commutation pour augmenter l'efficacité. Dans le cadre d’un fort partenariat industriel, le développement d’un transistor à base de GaN MOS-HEMT (haute mobilité) est en cours de réalisation afin de cibler les performances ultimes en DC et AC pour différents cahiers des charges applicatifs.

Travail à effectuer :
Le travail consiste à améliorer les performances électriques du transistor MOS HEMT. Plus précisément, il s’agit d’identifier les étapes clés du procédé de fabrication du transistor pour minimiser la résistance à l’état conductif ou Ron , en gardant sa robustesse en blocage, et pour optimiser les performances dynamiques (en commutation). L’analyse électrique et la recherche de corrélations entre les paramètres électriques et les étapes du procédés sont fondamentales pour accomplir ce travail. La modélisation et la simulation du comportement électrique du transistor MOS-HEMT, seront fondamentales pour valider ces étapes clés du procédé de fabrication et  évaluer les performances dynamiques du transistor.




Ville : Grenoble